電源適配器和快充通常采用傳統(tǒng)的反激變換器結(jié)構(gòu)，隨著PD電源適配器和快充的體積進一步減小、功率密度進一步提高以及對于高效率的要求，傳統(tǒng)的硬開關(guān)反激變換器技術(shù)受到很多限制。采用軟開關(guān)技術(shù)工作在更高的頻率，可以降低開關(guān)損耗提高效率，減小變壓器及電容的尺寸降低電源體積，同時改善EMI性能，從而滿足系統(tǒng)設(shè)計的要求，特別適合于采用超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET或高壓GaN器件的高功率密度快充及電源適配器。

傳統(tǒng)的硬開關(guān)反激變換器功率開關(guān)管電壓、電流應(yīng)力大，變壓器的漏感引起電壓尖峰，必須采用無源RCD吸收電路進行箝位限制，RCD吸收電路的電阻R產(chǎn)生額外的功率損耗， 降低系統(tǒng)效率，如圖1所示。

如果將RCD吸收電路的電阻R去掉，同時將二極管換成功率MOSFET，這樣就變成了有源箝位反激變換器，通過磁化曲線在第一、第三象限交替工作，將吸收電路的電容Cc吸收的電壓尖峰能量，回饋到輸入電壓，從而實現(xiàn)系統(tǒng)的正常工作。

非連續(xù)模式DCM有源箝位反激變換器電路結(jié)構(gòu)如圖2、所示，圖中的各個元件定義如下。

Lm：變壓器初級激磁電感；Lr：變壓器初級漏感；Lp：變壓器初級總電感，Lp=Lm+Lr；n：變壓器初級和次級的匝比，n=Np/Ns；Q1：主功率開關(guān)管，DQ1、CQ1為Q1寄生體二極管和寄生輸出電容；Qc：箝位開關(guān)管，DQc、CQc為Qc寄生體二極管和寄生輸出電容；Do：次級輸出整流二極管；Cc：箝位電容；Cr：CQ1、CQc以及其它雜散諧振電容Cto總和Cr=CQ1+CQc+Cto；Cc1：Cc1=Cc+CQ1+Cto；Vsw：Q1的D、S兩端電壓；Vin：輸入直流電壓；Vo：輸出直流電壓；VC：箝位電容電壓。

飛天鷹61W PD電源適配器采用了軟開關(guān)技術(shù)，降低了開關(guān)損耗提高效率，減小變壓器及電容的尺寸降低電源體積，同時改善EMI性能，做到了同等功率下，全網(wǎng)體積最小的PD快充電源適配器。