在2月13日，小米公司CEO雷軍在介紹完小米10之后，頓了頓，宣布了一個新的電源適配器。這個電源適配器支持小米65W快充，但比標配充電頭小了一倍，并且發(fā)熱更低。這，就是氮化鎵（GaN）電源適配器。

眾所周知，隨著手機屏幕的增大和處理器性能的增加，對手機本身的電量儲備和充電時間也提出了高要求。如何“又快又好”成為了手機續(xù)航的重要問題。對于普通的充電器而言，用上百kHz的開關(guān)頻率切換FET的開關(guān)狀態(tài)就已經(jīng)足夠。而且開關(guān)頻率越高，體積就會越小。

但問題在于，盲目提高開關(guān)頻率，很容易導(dǎo)致電源變熱，發(fā)生危險。而人們?yōu)榱私鉀Q這個問題，采取了很多辦法：增加漏感能量的電容、實現(xiàn)零電壓開啟FET（ZVS技術(shù)）。而氮化鎵，就是在這個時候出場。傳統(tǒng)的FET都是基于硅制造的，但相比硅材料，氮化鎵（GaN）是一種極穩(wěn)定的化合物，它的堅硬性好，熔點高，電離度高。

而如果我們能用氮化鎵材質(zhì)的FET去取代硅材料，那么氮化鎵電離性好、熔點高的優(yōu)勢，可以讓開關(guān)頻率變得更高，將體積縮小一半左右，這樣電源適配器的體積也就大大的縮小了。